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绪论

第1章 光电导探测器

1.1 光电子器件的基本特

1.1.1 光谱响应率和响应率

1.1.2 小可探测辐率和探测率

1.1.3 光吸收系数

1.1.4 光生载流子的复合

1.2 光电导探测器原理

1.2.1 光电导效应

1.2.2 光电导电流

1.2.3 光电导增益

1.2.4 光电导灵敏度

1.2.5 光电导惰和响应时间

1.2.6 光电导的光谱响应特

1.2.7 电压响应率

1.2.8 探测率Dλ

1.3 光敏电阻

1.3.1 光敏电阻的结构

1.3.2 光敏电阻的特

练br/>第2章 结型光电探测器

2.1 光生伏应

2.1.1 PN结

2.1.2 PN结电压电流公式

2.1.3 PN结光生伏应

2.1.4 光照平行结的定态情况

2.1.5 光照垂直于PN结的定态情况

2.1.6 光照垂直于NP结的定态情况

2.2 光电池

2.2.1 光电池的结构

2.2.2 光电池的电流与电压

2.2.3 光电池的主要特

2.3 光电二极管

2.3.1 PN结型光电二极管

2.3.2 PIN型光电二极管

2.3.3 雪崩光电二极管

2.4 光电三极管

2.4.1 光电三极管结构和工作原理

2.4.2 光电三极管的主要能参数

练br/>第3章 光电阴极与光电倍增管

3.1 光电发射过程

3.1.1 外光电效应

3.1.2 金属的光谱响应

3.1.3 半导体光电发射过程

3.1.4 实用光电阴极

3.2 负电子亲和势光电阴极

3.2.1 负电子亲和势光电阴极的原理

3.2.2 NEA光电阴极中的电子传输过程

3.2.3 NEA阴极的量子产额

3.2.4 负电子亲和势阴极的工艺及结构

3.3 真空光电管

3.3.1 真空光电管工作原理

3.3.2 真空光电管的主要特

第4章 微光像器

第5章 摄像管

第6章 CCD和CMOS成像器件

第7章 致冷型红外成像器件

第8章 微测辐射热计红外成像器件

第9章 热释电探测器和成像器件

第10章 紫外探测与成像器件

第11章 X射线探测与成像器件

参考文献

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